Samsung giới thiệu chip V-NAND cho máy tính hiệu suất cao và công nghệ máy tự học

Chip 1Tb V-NAND thế hệ mới nhất của Samsung được đánh giá là tiến bộ lớn nhất trong lĩnh vực bộ nhớ 10 năm trở lại đây.

Samsung giới thiệu chip V-NAND cho máy tính hiệu suất cao và công nghệ máy tự học

Samsung đã giới thiệu các giải pháp lưu trữ dựa trên V-NAND để đáp ứng các yêu cầu xử lý dữ liệu thế hệ tiếp theo. Công ty cũng giới thiệu một loạt ổ SSD sử dụng giải pháp này tại Hội nghị bộ nhớ flash năm nay được tổ chức vào tháng 8 tại Santa Clara, California. Samsung đã thông báo rằng họ sẽ tung ra chip 1Tb V-NAND vào năm tới, đây sẽ là chip NAND ba chiều đầu tiên của ngành công nghiệp này.

Vai trò của bộ nhớ flash đã trở nên quan trọng trong việc trích xuất dữ liệu để xử lí theo thời gian thực. Nhà sản xuất bán dẫn Hàn Quốc hy vọng rằng SSD sẽ đi đầu trong việc hỗ trợ các nhiệm vụ đòi hỏi nhiều dữ liệu nhất hiện nay như trí tuệ nhân tạo, máy học, phân tích thời gian thực và tính toán song song. Samsung dự định bắt đầu sản xuất hàng loạt các linh kiện lưu trữ này vào quý 4 năm 2017 (trong khi vẫn cố gắng chuẩn hóa yếu tố hình thức với các đối tác trong ngành).

Jeong Jae-heon, phó chủ tịch phụ trách việc phát triển giải pháp của Samsung đã giới thiệu nhà máy chế tạo chip V-NAND của công ty ở Pyeongtaek tại tỉnh Gyeonggi, Hàn Quốc trong một bài phát biểu quan trọng có sự tham dự của hơn một ngàn quan chức ngành công nghiệp bán dẫn. Mảng kinh doanh giải pháp dành cho thiết bị chiếm hơn 70% lợi nhuận hoạt động của Samsung cho nửa đầu năm 2017.

Samsung giới thiệu chip V-NAND cho máy tính hiệu suất cao và công nghệ máy tự học 2

Với sự xuất hiện chip 1Tb V-NAND của Samsung, người ta có thể tạo ra một bộ nhớ 2TB trong một gói duy nhất sử dụng 16 chip 1Tb. Đây là tiến bộ quan trọng nhất của ngành công nghiệp bộ nhớ trong 10 năm qua. Samsung cho biết họ đang thử nghiệm mẫu SSD 16 TB đầu tiên của ngành công nghiệp bán dẫn.

Jin Gyo-young, phó chủ tịch kiêm trưởng bộ phận kinh doanh bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết: “Công nghệ V-NAND mới và tiên tiến của chúng tôi sẽ cung cấp các giải pháp thông minh hơn, mang lại giá trị lớn hơn bằng cách cung cấp tốc độ xử lý dữ liệu cao, tăng khả năng mở rộng hệ thống và độ trễ cực thấp cho các ứng dụng đám mây. Chúng tối tiếp tục đi tiên phong trong việc đổi mới bộ nhớ flash bằng cách tận dụng những kiến thức chuyên sâu về công nghệ bộ nhớ 3D-NAND tiên tiến để tăng cường đáng kể cách thức xử lý dữ liệu phức tạp”.

Samsung cũng đã chứng minh cho điều này với một hệ thống máy chủ tham chiếu có bộ nhớ 576TB trong 1U rack - U là đơn vị mà các nhà sản xuất quy ước dùng để đo chiều cao của thiết bị theo tiêu chuẩn EIA. Hệ thống lỗ trên các thanh treo trong tủ được chia làm các cụm, mỗi cụm bao gồm 3 lỗ vuông cạnh 0.5 inch (12.70 mm). Mỗi hệ thống 3 lỗ vuông này được thiết kế song song tạo thành một phần không gian bên trong tủ với chiều cao 1U tương đương 1,75 inch (44,45 mm). Các thiết bị gắn trên tủ rack thường được thiết kế dựa trên số U này.

Công ty đã sử dụng 36 ổ cứng SSD 16TB để xây dựng máy chủ tham chiếu. Nó có khả năng phục vụ 10 triệu lượt đọc đầu vào/đầu ra ngẫu nhiên trên mỗi giây, gấp ba lần so với thiết bị rack 1U sử dụng các ổ SSD 2.5 inch tiêu chuẩn.

Theo genk

Bài liên quan

Bài đọc nhiều nhất

Bài mới trong ngày

Lên đầu trang