Lời hứa đưa 1.000 tỉ bóng bán dẫn vào một mạch tích hợp (IC) của Intel sẽ trở thành hiện thực vào năm 2030.
Tai Hội nghị Thiết bị Điện tử Quốc tế (IEDM) năm nay, Intel tiết lộ những tiến bộ trong công nghệ đóng gói vi mạch 2D và 3D với mật độ cải tiến mới gấp 10 lần.
Tại IEDM 2022, Nhóm Nghiên cứu Linh kiện của Intel nêu bật một số quy trình, vật liệu và công nghệ có thể giúp gã khổng lồ bán dẫn giữ lời hứa đưa 1.000 tỉ bóng bán dẫn vào một mạch tích hợp (IC) vào năm 2030.
![Intel giới thiệu đột phá trong quá trình nghiên cứu vi mạch 2D và 3D]( "Intel cong bo nhung dot pha trong qua trinh nghien cuu cong nghe vi mach 2D va 3D")
Nghiên cứu đóng gói và bóng bán dẫn mới của Intel chủ yếu tập trung vào việc nâng cao hiệu suất và hiệu quả của CPU, thu hẹp khoảng cách giữa bộ xử lý một khuôn truyền thống và các thiết kế dựa trên chiplet mới. Một số khái niệm được trình bày trong các tài liệu đã gửi bao gồm giảm đáng kể khoảng cách giữa các bộ ba để cải thiện hiệu suất, các bóng bán dẫn có khả năng duy trì trạng thái của chúng ngay cả sau khi mất điện và các giải pháp bộ nhớ xếp chồng mới.
Gary Patton, phó chủ tịch kiêm tổng giám đốc Nghiên cứu Linh kiện (CR) và Hỗ trợ Thiết kế của Intel, cho biết: "75 năm kể từ khi phát minh ra bóng bán dẫn, sự đổi mới thúc đẩy Định luật Moore tiếp tục giải quyết nhu cầu điện toán ngày càng tăng theo cấp số nhân của thế giới. Tại IEDM Vào năm 2022, Intel sẽ giới thiệu cả những tiến bộ nghiên cứu cụ thể và tư duy hướng tới tương lai cần thiết để vượt qua các rào cản hiện tại và tương lai, đáp ứng nhu cầu vô độ này, đồng thời duy trì Định luật Moore tồn tại và hoạt động hiệu quả trong nhiều năm tới."
Nghiên cứu của nhóm CR đã xác định các quy trình và vật liệu mới quan trọng để thúc đẩy công ty tiến gần hơn đến cột mốc 1.000 tỷ bóng bán dẫn của họ. Nghiên cứu liên kết lai mới nhất của công ty cho thấy sự cải thiện gấp 10 lần so với bản trình bày của năm trước.
Các nghiên cứu khác được giới thiệu bởi các đệ trình của Intel bao gồm các thiết kế sử dụng vật liệu mới có độ dày không vượt quá ba nguyên tử, bộ nhớ có thể được đặt thẳng đứng phía trên các bóng bán dẫn và hiểu rõ hơn về các khiếm khuyết giao diện khác nhau, vốn ảnh hưởng đến dữ liệu lượng tử.
![Intel giới thiệu đột phá trong quá trình nghiên cứu vi mạch 2D và 3D]( "Intel cong bo nhung dot pha trong qua trinh nghien cuu cong nghe vi mach 2D va 3D 3")
Nhóm Nghiên cứu Linh kiện của Intel đóng vai trò là lãnh đạo nội bộ của công ty về phát triển công nghệ mới và đột phá. Các kỹ sư của CR phát minh và phát triển các vật liệu cũng như phương pháp mới hỗ trợ các nhà sản xuất chất bán dẫn trong cuộc chiến đang diễn ra nhằm thu nhỏ công nghệ xuống quy mô nguyên tử.
Nhóm này chịu trách nhiệm về công nghệ in khắc cực tím (EUV) của Intel, công nghệ không thể thiếu, giúp Intel tiếp tục thu nhỏ kích thước nút đồng thời tăng khả năng bán dẫn tổng thể. Công việc và các mốc thời gian của nhóm thường đi trước các công nghệ có sẵn trên thị trường từ 5 đến 10 năm nữa.